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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：200 V
Id-连续直流电流：94 A
Rds上漏源导通电阻：23毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：30 V
Qg-萘甲酸：180 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：580 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-对抗：39 S
下降时间：79 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：160 ns
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：43 ns
典型终止时间：23 ns
零件号别名：IRFP90N20DPBF SP001552070
单位重量：38 g
应用领域
•高频DC-DC转换器
•无铅
好处
•低的栅极到漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容，包括有效的COSS来简化设计，（请参见应用笔记AN1001）
•完全表征的雪崩电压和电流
额定值
Parameter
Max.
Units
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
94®
A
ID @ TC = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
66
IDM
Pulsed Drain Current CD
380
PD @TC = 25°C
Power Dissipation
580
W
Linear Derating Factor
3.8
W/°C
VGS
dv/dt
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt CT
± 30
6.7
V
V/ns
TJ
TSTG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-55 to + 175
°C
Soldering Temperature, for 10 seconds
300 (1.6mm from case )
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw
10 lbf•in (1.1N•m)
热阻
Parameter
Typ.
Max.
Units
RqJC
Junction-to-Case
–––
0.26
°C/W
RqCS
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
0.24
–––
RqJA
Junction-to-Ambient
–––
40